收藏本站
IRF7604
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
?
-
**
-
?
+
*
V GS *
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
*
Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[ V GS =10V ] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
[ V DD ]
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
[ I SD ]
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 12. For P-Channel HEXFETS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7607 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
IRF7663TR MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
IRF7700GTRPBF MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
IRF7700TRPBF MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
IRF7701GTRPBF MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRF7701TRPBF MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRF7702GTRPBF MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
IRF7703GTRPBF MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
相关代理商/技术参数
IRF7604TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
IRF7604TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -3.6A 90mOhm 13nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7604TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.6A MICRO8
IRF7606 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P MICRO-8
IRF7606HR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -3.6A, 90 MOHM, 20 NC QG, MICRO 8 - Rail/Tube
IRF7606PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 3.6A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P MICRO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, MICRO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, MICRO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes
IRF7606TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7606TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 3.6A 8PIN MICRO8 - Tape and Reel